dc.contributor.advisor | Hardhienata, Hendradhi | |
dc.contributor.advisor | Alatas, Husin | |
dc.contributor.author | Sagala, Rudi | |
dc.date.accessioned | 2018-11-24T02:59:46Z | |
dc.date.available | 2018-11-24T02:59:46Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.uri | http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/95274 | |
dc.description.abstract | Gallium arsenide (GaAs) merupakan semikonduktor golongan III-V
dengan susunan kristal non-centrosymmetric, mengakibatkan kontribusi dipol dari
permukaan dan dari dalam bulk pada harmonik tinggi tidak sama dengan nol.
Tujuan dari penelitian ini adalah memodelkan respons harmonik tinggi dan
membandingkan intensitas radiasi harmonik kedua dan ketiga pada kristal
Zincblende (GaAs) untuk sembarang polarisasi masukan. Pemodelan
menggunakan model ikat hiperpolarisabilitas dengan mendefinisikan arah ikatan
atom yaitu ikatan atom yang arahnya ke atas dan ke bawah. Dirotasi pada sumbu
azimuth untuk mendapatkan tensor suseptibilitas. Tensor suseptibilitas didotkan
dengan medan listrik masukan dan menghasilkan polarisasi yang selanjutnya
didapatkan far-field. Harmonik kedua atau SHG terdapat 4 puncak simetri yang
bernilai nol setiap kelipatan 900. Sedangkan pada harmonik ketiga atau THG
terdapat perubahan banyak puncak intensitas dari 8 puncak simetri menjadi 4
puncak simetri. Pemodelan memperlihatkan bahwa intensitas radiasi harmonik
ketiga lebih kecil dari intensitas harmonik kedua. | id |
dc.publisher | Bogor Agricultural University (IPB) | id |
dc.subject.ddc | Physics | id |
dc.subject.ddc | Polarization | id |
dc.subject.ddc | 2018 | id |
dc.subject.ddc | Bogor-Jawa Barat | id |
dc.title | Pemodelan Harmonik Tinggi pada Kristal Zincblende (GaAs) untuk Sembarang Polarisasi Masukan Menggunakan Model Ikat Hiperpolarisabilitas | id |
dc.subject.keyword | GaAs | id |
dc.subject.keyword | harmonik tinggi | id |
dc.subject.keyword | model ikat hiperpolarisabilitas | id |
dc.subject.keyword | optika nonlinier | id |