Pemodelan Harmonik Tinggi pada Kristal Zincblende (GaAs) untuk Sembarang Polarisasi Masukan Menggunakan Model Ikat Hiperpolarisabilitas

Abstract

Gallium arsenide (GaAs) merupakan semikonduktor golongan III-V dengan susunan kristal non-centrosymmetric, mengakibatkan kontribusi dipol dari permukaan dan dari dalam bulk pada harmonik tinggi tidak sama dengan nol. Tujuan dari penelitian ini adalah memodelkan respons harmonik tinggi dan membandingkan intensitas radiasi harmonik kedua dan ketiga pada kristal Zincblende (GaAs) untuk sembarang polarisasi masukan. Pemodelan menggunakan model ikat hiperpolarisabilitas dengan mendefinisikan arah ikatan atom yaitu ikatan atom yang arahnya ke atas dan ke bawah. Dirotasi pada sumbu azimuth untuk mendapatkan tensor suseptibilitas. Tensor suseptibilitas didotkan dengan medan listrik masukan dan menghasilkan polarisasi yang selanjutnya didapatkan far-field. Harmonik kedua atau SHG terdapat 4 puncak simetri yang bernilai nol setiap kelipatan 900. Sedangkan pada harmonik ketiga atau THG terdapat perubahan banyak puncak intensitas dari 8 puncak simetri menjadi 4 puncak simetri. Pemodelan memperlihatkan bahwa intensitas radiasi harmonik ketiga lebih kecil dari intensitas harmonik kedua.