| dc.description.abstract | Fotodioda Film Ba0,5Sr0,5TiO3 (BST) telah berhasil dibuat dengan menumbuhkan BST di permukaan substrat Si(100) tipe-p dengan menggunakan metode sol gel dengan teknik spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film BST dibuat dengan konsentrasi 1 M dan proses annealing pada suhu 850°C selama 8 jam, 15 jam, 22 jam, dan 29 jam. Dilakukan karakterisasi sifat listrik, optik, dan struktur film. Karakterisasi I-V dilakukan pada kondisi gelap dan terang dengan filter warna hijau, kuning, dan merah. Hasil yang diperoleh menunjukkan bahwa film bersifat fotodioda. Konduktivitas listrik (σ) film dengan waktu annealing selama 8 jam, 15 jam, 22 jam, dan 29 jam berturut-turut adalah 1.49 x 10-5 S/cm, 2.05 x 10-5 S/cm, 2.27 x 10-5 S/cm, 6.66 x 10-5 S/cm. Nilai σ tersebut berada dalam rentang σ semikonduktor, sehingga film BST yang dihasilkan merupakan material semikonduktor. Selain kareakterisasi I-V dan konduktivitas listrik dilakukan juga karakterisasi konstanta dielektrik (ε). Nilai ε film menurun ketika tegangan ditingkatkan dari 1 volt, 2 volt, dan 3 volt. Sedangkan semakin lama film ditahan pada suhu 850o C menyebabkan konstanta dielektriknya meningkat. Karakterisasi sifat optik diantaranya pengukuran absorbansi dan reflektansi film. Kurva absorbansi yang diperoleh memperlihatkan panjang gelombang yang paling banyak diserap dan dipantulkan yaitu berkisar dari 400-500 nm dan 570-600 nm. Data reflektansi film dapat digunakan untuk menghitung indeks bias (n) dan energy gap (Eg). Karakterisasi sifat struktur berupa pengujian XRD. Hasil yang diperoleh memperlihatkan intensitas difraksi tertinggi dimiliki oleh film BST dengan waktu annealing selama 8 jam sedangkan intensitas difraksi terendah dimiliki oleh film BST dengan waktu annealing selama 29 jam. | en |
