| dc.description.abstract | Penggabungan beberapa bahan semikonduktor sel surya untuk
memperoleh nilai efisiensi yang tinggi dikenal dengan sel surya multijunction.
Salah satu faktor yang dapat memengaruhi kinerja dan efisiensi dari sel surya
adalah suhu sel surya itu sendiri. Penelitian ini menggunakan program PC1D
sebagai simulator sel surya dan program Matlab untuk melakukan perhitungan
intensitas. Bahan semikoduktor yang digunakan adalah Al0.3Ga0.7As, InP dan Ge.
Sel surya multijunction Al0.3Ga0.7As/InP/Ge dengan variasi suhu 25, 50, 75 dan
100 ºC menghasilkan tegangan open circuit yang menurun pada setiap lapisan
sebanding dengan kenaikan suhu sel surya. Tegangan open circuit pada lapisan
pertama Al0.3Ga0.7As menurun sebesar -8.7 mV/ ºC, lapisan kedua InP mengalami
penurunan sebesar -1.4 mV/ ºC dan lapisan ketiga Ge mengalami penurunan
sebesar -1.3 mV/ ºC. Koefisien suhu dari efisiensi total sel surya multijunction
Al0.3Ga0.7As/InP/Ge adalah sebesar -0.34 %/ ºC. Peningkatan suhu sel surya
menyebabkan penurunan terhadap kinerja dan efisiensi sel surya multijunction
Al0.3Ga0.7As/InP/Ge. | id |
