Studi Efisiensi dan Kinerja dari Sel Surya Multijunction Al0.3Ga0.7As/Inp/Ge terhadap Variasi Suhu

Abstract

Penggabungan beberapa bahan semikonduktor sel surya untuk memperoleh nilai efisiensi yang tinggi dikenal dengan sel surya multijunction. Salah satu faktor yang dapat memengaruhi kinerja dan efisiensi dari sel surya adalah suhu sel surya itu sendiri. Penelitian ini menggunakan program PC1D sebagai simulator sel surya dan program Matlab untuk melakukan perhitungan intensitas. Bahan semikoduktor yang digunakan adalah Al0.3Ga0.7As, InP dan Ge. Sel surya multijunction Al0.3Ga0.7As/InP/Ge dengan variasi suhu 25, 50, 75 dan 100 ºC menghasilkan tegangan open circuit yang menurun pada setiap lapisan sebanding dengan kenaikan suhu sel surya. Tegangan open circuit pada lapisan pertama Al0.3Ga0.7As menurun sebesar -8.7 mV/ ºC, lapisan kedua InP mengalami penurunan sebesar -1.4 mV/ ºC dan lapisan ketiga Ge mengalami penurunan sebesar -1.3 mV/ ºC. Koefisien suhu dari efisiensi total sel surya multijunction Al0.3Ga0.7As/InP/Ge adalah sebesar -0.34 %/ ºC. Peningkatan suhu sel surya menyebabkan penurunan terhadap kinerja dan efisiensi sel surya multijunction Al0.3Ga0.7As/InP/Ge.