Karakteristik Optik Dan Listrik Film Tipis Litao3 Di Atas Substrat Si Tipe P(100) Pada Variasi Suhu Annealing

Abstract

Telah berhasil ditumbuhkan film tipis Lithium tantalat (LiTaO3) pada substrat Si tipe-p (100) pada variasi suhu annelaling selama 8 jam 550 0C, 600 0C, 650 0C, 700 0C, 750 0C, 800 0C. Dengan metodeChemical Solution Deposition (CSD) dan dengan kecepatanrotasi spin coating 3000 rpm selama 30 detik dan kelarutan 1 M ditumbuhkan film tipis LiTaO3. Hasil karakterisasi optik telah menunjukkan bahwa (LiTaO3) dapat menyerap spektrum inframerah. Analisis band gap menggunakan metode Tauc Plot dengan hasil berturut turut 2,09 eV, 2,98 eV, 1,98 eV, 2,30 eV, 1,98 eV, 1,96 eV.Besarnya nilai band gap dipengaruhi oleh atom O pada ikatan LiTaO3. Pada pita energi, Li menempati pada 2s state, Ta pada state 5d dan O pada state 2d. Oksigen memperbesar nilai band gap sebesar 4 ev. Diatas pita valensi kebanyakan oksigen dengan p state yang mengambarkan besarnya densitas transisi logam d state pada pita valensi yang artinya tingkatan state p oksigen pada dua material hybrid ditingkatan d. Apabila dua material terjadi hybridisasi antara transisi konduksi pada tingkatan d state dan p state oksigensehingga hal inilah yang menjadi alasan oksigen berubah arah ke transisi konduksi. Hibridisasi menunjukan karakteristik keteraturan suatu bahan.Dengan peningkatan suhu anneling diharapkan akan mengurangi densitas O pada molekul hal ini terjadi karena O memperbesar nilai energi gap.Nilai indek bias terbesar pada suhu 800 0C dengan nilai 2,38. Nilai Impedansi terbesar pada suhu 650 0C dan Konstanta dialektrikterbesar pada suhu 800 0C. Pengaruh suhu annealing, ketebalan film dan fase transisi berpengaruh terhadap nilai kapasitansi, impedensi dan konstanta dialektrik. Dari karakteristik optik dan listrik menunjukkan bahwa LiTaO3 dapat digunakan sebagai sensor inframerah.