Karakterisasi Optik Film LiTaO3 yang ditumbuhkan di atas Substrat Silikon Tipe-P pada Variasi Suhu Annealing.

Abstract

Telah berhasil dibuat film tipis LiTaO3 di atas substrat Silikon (100) tipe-p dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan 1 M. Film tipis di annealing pada suhu 550 ⁰C, 575 ⁰C, 600 ⁰C dan 625 ⁰C selama waktu tahan 8 jam dengan laju kenaikan suhu 1.67 ⁰C/menit. Hasil uji optik menunjukkan film LiTaO3 dapat mengabsorpsi cahaya tampak pada near infrared sehingga dapat digunakan sebagai cikal bakal sensor inframerah. Analisis energi gap menggunakan metode Tauc Plot diperoleh hasil nilai 2.649 eV, 2.949 eV, 2.744 eV dan 2.752 eV. Hasil uji sifat listrik memperlihatkan film LiTaO3 bersifat semikonduktor dan konduktif. Analisis XRD film LiTaO3 membentuk struktur kristal hexagonal memiliki parameter a=b=5.153 Å and c=13.89 Å.