| dc.description.abstract | Telah dilakukan penumbuhan film tipis LiTaO3 (LT) dan LiTaO3 yang didadah Niobium Pentaoksida Nb2O5 (LNT) dengan variasi pendadah 2,5%, 5%, dan 7,5% diatas substrat Si (100) tipe-p dengan menggunakan metode chemical solution deposition (CSD) dengan teknik spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film tipis LiTaO3 dibuat dengan konsentrasi 1 M dan annealing pada suhu 850oC untuk substrat Si. Film tipis diatas substrat silikon tipe-p dilakukan karakterisasi XRD, absorbansi, reflektansi, transmitansi, I-V, konduktansi, dan konstanta dielektrik. Hasil karakterisasi konduktivitas film tipis LT dan LNT berada pada rentang material semikonduktor. Konstanta dielektrik yang terdapat pada film tipis diatas substrat silikon tipe-p bervariasi sesuai dengan penambahan pendadahan yang digunakan yaitu 2,5%, 5%,7,5%. Pada karakterisasi kurva I-V menghasilkan film tipis LT, LNT 2,5% dan LNT 5% bersifat dioda, sedangkan LNT 7,5% bersifat resistor. Pada karakterisasi absorbansi, reflektansi, dan transmitansi terjadi pada panjang gelombang 360 nm atau pada sinar UV. Dan karakterisasi XRD menghasilkan bentuk Kristal. | en |
