Karakterisasi optik lapisan semikonduktor Cu2O yang dibuat dengan metode deposisi kimia

Abstract

Semikonduktor Cu2O telah dipertimbangkan sebagai material yang digunakan untuk membuat sel surya dengan biaya rendah dan mudah dibuat dengan metoda deposisi kimia. Hasil penelitian menunjukkan terjadinya perubahan sifat optik pada sampel dengan ketebalan yang berbeda dan pada sampel yang diberi perlakuan pemanasan (annealing). Ketebalan lapisan memberikan pengaruh terhadap beberapa sifat optik material antara lain absorbansi, transmitansi, reflektansi dan indeks bias. Semakin tebal lapisan akan menyebabkan nilai absorbansi, reflektansi dan indeks bias semakin besar, dan nilai transmitansi semakin kecil. Perlakuan panas juga merubah beberapa sifat optik yang dipelajari. Semakin panas suhu annealing yang diterapkan, menyebabkan nilai absorbansi, reflektansi dan indeks bias semakin kecil, sedangkan nilai transmitansi semakin besar. Pendugaan band gap menggunakan kurva (αhυ)2 vs. hυ menunjukkan bahwa sampel semikonduktor Cu2O berada di antara 2,35 – 2,42 eV.