Search
Now showing items 11-17 of 17
Studi Desain Reaktor Cepat Berpendingin Fb-Bi dengan Kemampuan Transmutasi Aktinida Minor
(IPB (Bogor Agricultural University), 2004)
Analisis Struktur Kristal PIZT Menggunakan Metode Gsas
(IPB (Bogor Agricultural University), 2004)
GSAS (general structure analysis ,yslem) merupakan sebuah sojtware yang dapat menganalisa secara simuhan semua data yang dihasilkan oleh difraksi sinar-X dan hamburan neutron. Metode GSAS mengacu pada metode penghalusan ...
Pembuatan dan Karakterisasi Sel Surya Ti02/Dye/PAni
(IPB (Bogor Agricultural University), 2004)
Sumber-sumber energi seperti minyak bumi, batubara dan gas dalam pemanfaatannya menimbulkan banyak masalah pencemaran. Selain itu, bahan-bahan tersebut tidak dapat diperbaharui sehingga peflu dicari sumber energi yang dapat ...
Pembuatan dan Karakterisasi Prototipe Sel Surya Nanokristal n-TiO2/Dye/p-CuSCN
(IPB (Bogor Agricultural University), 2004)
Dengan metode casting dan perlakuan annealing, dapat dibuat lapisan nanokristal semikonduktor TiO, pada substrat Transparant Conductive Oxide (TCO). Penambahan dye Methylviolet Thiocianate (MVSCN) dan lapisan CuSCN pada ...
Karakterisasi Sifat Listrik Lapisan PMMA (poly methyl methacry/ate) terhadap Variasi Kelembaban
(Bogor Agricultural University (IPB), 2004)
Kelembaban udara merupakan kandungan uap air di udara. Jika besarnya kandungan uap air yang ada melebihi atau kurang dari kebutuhan yang diperlukan maka akan menimbulkan gangguan atau kerusakan. Berbagai macam bahan telah ...
Penumbuhan film tipis bahan PbZrxYi1-xO3 doping In2O(PIZT) dengan metode chemical solution deposition(CSD)
(IPB University, 2004)
Penumbuhan Film Tipis Bahan PbZrTi1-xO3 Doping In₂O3 (PIZT) dengan Metode Chemical Solution Deposition (CSD). Dibimbing oleh Ir. Irzaman, MSi dan Dr. Kiagus Dahlan. Telah dilakukan penumbuhan film tipis PbZr, Ti₁-xO3 doping ...
Uji sifat listrik struktur kapasitor film tipis bahan PbZr,Ti1-xO3 doping In2O3(PIZT)
(IPB University, 2004)
Telah dilakukan penelitian uji sifat listrik kapasitor film tipis PbZrTi1.xO3 doping In₂O3 (PIZT). Variasi doping In₂O3 yang diberikan pada PbZr,Ti₁.xO3 (PZT) adalah 0,5%; 1% dan 10%. Uji sifat listrik C-V dari film tipis ...