| dc.description.abstract | Lapisan tipis Copper Oxide (CuO) adalah bahan scmikonduktor yang memiliki sirat sangat scnsitif tcrhadap gas. mcngingat bahan tcrscbut sangat mud-ah mcngabsorpsi gas. DCllgan absorpsi gas ini akan l11crubah resistivitas lapisan tipis tersebut. Dalmn pcmbuatan.lapisan (ipis ini, lllclodc yang digunakan adalah metodc Dcposisi Fasa Cair (Liquid Phase Deposition) yaitu dengan mencmnpurkan 100 ml larutan Copper Sulphal (CuSO, 1I2H,O) 1M dengan 50 ml ammonium 25 %, Kemudian dicuplik 6ml dan dimasukkan ke dalam wadall yang telah terisi aquades 60 ml dan substrat pada dindingnya, kemudian diaduk dengan slirier dan dipanasi pada suhu 75°C selama 1 jam, Pendeposisian ini dilakukan sebanyak 4 kali. Hasil karakterisasi XRD memperlihatkan puncak-puncak CuO yaitu berada pada 28 = 35,306; 38,502; 61.475; 65,538 dengan masing-masing d = 2,5400: 2,3362: 1.5071; 1.4231. | id |
