Karakterisasi Film Tipis Ti. Co₂O₂ yang Ditumbuhkan dengan Metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)

Abstract

Film tipis TiCo₂O₂ telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Si (100) tipe-p dengan menggunakan metode MOCVD. Parameter optimal penumbuhan pada film tipis TiCo₂O₂ yaitu: temperatur substrat (T,) 450 °C, temperatur bubbler (Th) 50 °C, tekanan bubbler (P) 260 torr, laju aliran gas Ar yang membawa atom Ti 100 sccm, laju aliran gas O₂ 60 sccm, tekanan total penumbuhan (Ptot) 2 Torr dan waktu penumbuhan 120 menit. Untuk mendapatkan variasi komposisi atom Co dalam film tipis Ti., Co₂O, dilakukan dengan memvariasikan laju aliran gas Argon yang membawa atom Co, yaitu 0.0 sccm, 30 sccm, 50 sccm dan 70 sccm. Komposisi atom Co yang terdapat dalam film tipis TiCo, O₂ dipengaruhi oleh laju aliran gas Argon yang membawa atom Co. Semakin cepat laju aliran gas maka semakin banyak pula komposisi atom Co yang terdapat dalam film tipis Ti, Co,O. Kehadiran atom Co yang semakin banyak pada film tipis Ti. Co₂O, menyebabkan kualitas film tipis menjadi lebih baik. Morfologi permukaan film tipis Ti Co₂O, memiliki permukaan yang halus (smooth) dan diameternya menjadi semakin besar. Kehadiran atom Co pada film tipis TiCo₂O₂ memberikan perubahan pada struktur kristal sehingga terbentuk bidang-bidang kristal baru, seperti bidang anatase (112), (211) dan (301).