Simulasi Piranti N-Mosfet Dengan Metode Finite-Difference

Abstract

Piranti MOSFET (Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). adalah bagian terpenting dari rangkaian terintegrasi berskala sangat besar (Very Large Scale Integrated Circuit - VLSI) seperti pada mikroprosesor dan memori. Penelitian piranti MOSFET terus dikembangkan untuk memperoleh piranti yang lebih kecil lagi dengan karakteristik yang lebih baik. Di dalam rangkaian terintegrasi mikroprosesor yang ada saat ini terdapat dua juta sarnpai sembilan juta transistor. Transistor yang digunakan adalah MOSFET. Jadi perkembangan teknologi MOSFET sangat berpengaruh terhadap perkembangan teknologi komputer dan elektronika. MOSFET adalah suatu piranti dengan empat terminal, yaitu: drain, gale, source dan base. Dalarn simulasi ini yang akan dimodelkan adalah n-MOSFET yaitu MOSFET dengan n-channel dimana operasi piranti ini didasarkan atas pembentukan II-challllel pada substrat semikonduktor tipe-p. Piranti n-MOSFET terdiri dari substrat semikonduktor tipe-p dan dua daerah semikonduktor tipe-n + pada bagian kontak source dan draill. Kontak logam pada daerah oksida disebut gale. Bagian tengah dari piranti ini identik dengan dioda persambungan logam dengan oksida semikonduktor (MOS - Metal Oxide Semiconductor).