Karakterisasi Optik dan Listrik Film LiTaO3 (Lithium Tantalate) pada Substrat Silikon [Si(111)] Tipe-n/n+

Abstract

Telah berhasil dibuat film LiTaO3 pada substrat silikon [Si(111)] tipe-n/n+ dengan variasi suhu annealing selama 8 jam pada suhu 550 oC, 575 oC, 600 oC, dan 625 oC. Metode yang digunakan yaitu Chemical Solution Deposition (CSD) dengan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan 1 M. Analisis energi band gap menggunakan metode Tauc Plot menghasilkan nilai sebesar 2.59 - 2.72 eV. Hasil analisis XRD untuk film LiTaO3 pada suhu annealing 600 oC menunjukkan bahwa struktur kristalnya membentuk hexagonal dengan parameter kisi a = b = 5.199Å dan c = 13.890Å. Hasil uji optik menunjukkan bahwa film LiTaO3 dapat mengabsorbsi spektrum Inframerah dekat dengan transisi indirect. Hasil uji listrik menunjukkan bahwa film LiTaO3 termasuk material semikonduktor