Pembuatan Film Tipis Barium Titanat (BaTiO3) Didadah Indium Oksida (In2O3) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition

Abstract

Film tipis Barium Titanat (BaTiO3) telah berhasil dibuat di atas substrat Si (100) tipe P dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan larutan 1 M berbantuan spin coating dengan kecepatan putar sebesar 8000 rpm. Film ini kemudian di annealing pada suhu 850 0C dengan waktu tahan selama 8 jam. Film tipis barium titanat yang didadah dengan indium oksida dengan konsentrasi 0%, 2%, 4%, dan 6% dikarakterisasi dengan UV-Vis dan XRD sehingga menghasilkan energi gap berturut-turut sebesar 3.45 eV, 3.1 eV, 3.5 eV, dan 2.7 eV. Diperoleh kristal berbentuk tetragonal dengan parameter kisi a = b = 4.075003 Å dan c = 4.088857 Å ; a = b = 4.05802 Å dan c = 4.060536 Å ; a = b = 4.037801 Å dan c = 4.042604 Å ; a = b = 4.072917 Å dan c = 4.06868 Å.