Pembuatan Film Stronsium Titanat Didadah Indium Oksida/Silikon (100) Melalui Metode Chemical Solution Deposition

dc.contributor.advisor	Irzaman
dc.contributor.advisor	Irmansyah
dc.contributor.author	Purba, Ade Grace Meita
dc.date.accessioned	2019-12-23T07:51:56Z
dc.date.available	2019-12-23T07:51:56Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.uri	http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/100482
dc.description.abstract	Telah berhasil dibuat film stronsium titanat (SrTiO3) di atas substrat Si (100) tipe p dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan larutan 1 M berbantuan spin coating dengan kecepatan putar 8000 rpm. Film ini di annealing dengan suhu 8500C ditahan selama 8 jam. Film stronsium titanat (SrTiO3) pada konsentrasi pendadah 0%, 2%, 4%, 6% indium oksida (In2O3) dikarakterisasi sifat optik dan struktur XRD dan diperoleh energi gap berturut-turut sebesar 2.75 eV, 2.3 eV, 2.17 eV, 2.42 eV. Struktur kristalnya berbentuk kubus dengan parameter kisi sebesar a = 3.8020 Å ; a = 3.8208 Å ; a = 3.8482 Å ; a = 3.8541 Å, dan rata-rata ukuran kristalnya sebesar 0.0702, 0.0828, 0.0679, 0.0622 dalam satuan μm.	id
dc.language.iso	id	id
dc.publisher	IPB University	id
dc.subject.ddc	Physics	id
dc.subject.ddc	Ferroelectricity	id
dc.subject.ddc	2019	id
dc.subject.ddc	Bogor-Jawa Barat	id
dc.title	Pembuatan Film Stronsium Titanat Didadah Indium Oksida/Silikon (100) Melalui Metode Chemical Solution Deposition	id
dc.type	Undergraduate Thesis	id
dc.subject.keyword	annealing	id
dc.subject.keyword	bandgap	id
dc.subject.keyword	SrTiO3	id
dc.subject.keyword	CSD	id
dc.subject.keyword	In2O3	id