PEMBUATAN SENSOR GAS H2S BERBASIS POLYANILINE FIELD EFFECT TRANSISTOR (PFETs) DENGAN METODE CASTING

Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/68320

Title:	PEMBUATAN SENSOR GAS H2S BERBASIS POLYANILINE FIELD EFFECT TRANSISTOR (PFETs) DENGAN METODE CASTING
Authors:	Jasalesmana, T Nurlaela, A Saridewi, N Alatas, F Akhiruddin
Issue Date:	2012
Publisher:	Departemen Fisika FMIPA IPB & Himpunan Fisikawan Medis dan Biofisikawan Indonesia
Abstract:	Telah dibuat sensor gas H2S berbasis Field Effect Transistors dengan poliainilin (PANI) sebagai lapisan aktif sensor. Lapisan PANI ditumbuhkan di atas bahan dielektrik (SiO2) dengan metode casting. Lapisan dielektrik diuji sifat optiknya untuk melihat kebaradaan lapisan tersebut sebagai salah satu penyusun sensor. Sensor diuji secara elektrik untuk melihat karakteristik efek medan dan sensitivitasnya terhadap gas H2S. Arus drain semakin meningkat dengan meningkatnya tegangan gate negatif. Interakasi sensor dengan H2S ditunjukkan dengan semakin meningkatnya arus drain ketika konsentrasi gas H2S ditingkatkan
URI:	http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/68320
ISSN:	1829-6009
Appears in Collections:	Physics

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Jurnal Akhiruddin.pdf		235.02 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI