PEMBUATAN SENSOR GAS H2S BERBASIS POLYANILINE FIELD EFFECT TRANSISTOR (PFETs) DENGAN METODE CASTING

Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/68320

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Jasalesmana, T
dc.contributor.author	Nurlaela, A
dc.contributor.author	Saridewi, N
dc.contributor.author	Alatas, F
dc.contributor.author	Akhiruddin
dc.date.accessioned	2014-03-18T01:53:52Z
dc.date.available	2014-03-18T01:53:52Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.issn	1829-6009	-
dc.identifier.uri	http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/68320
dc.description.abstract	Telah dibuat sensor gas H2S berbasis Field Effect Transistors dengan poliainilin (PANI) sebagai lapisan aktif sensor. Lapisan PANI ditumbuhkan di atas bahan dielektrik (SiO2) dengan metode casting. Lapisan dielektrik diuji sifat optiknya untuk melihat kebaradaan lapisan tersebut sebagai salah satu penyusun sensor. Sensor diuji secara elektrik untuk melihat karakteristik efek medan dan sensitivitasnya terhadap gas H2S. Arus drain semakin meningkat dengan meningkatnya tegangan gate negatif. Interakasi sensor dengan H2S ditunjukkan dengan semakin meningkatnya arus drain ketika konsentrasi gas H2S ditingkatkan	en
dc.language.iso	id
dc.publisher	Departemen Fisika FMIPA IPB & Himpunan Fisikawan Medis dan Biofisikawan Indonesia
dc.title	PEMBUATAN SENSOR GAS H2S BERBASIS POLYANILINE FIELD EFFECT TRANSISTOR (PFETs) DENGAN METODE CASTING	en
dc.type	Book	en
dc.subject.keyword	Polyaniline, Sensor, FETs, H2S	en
Appears in Collections:	Physics

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Jurnal Akhiruddin.pdf		235.02 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI