Simulasi awal perancangan sel surya double junction GAAS/GE

Abstract

Dalam makalah ini ditampilkan hasil simulasi awal dari perancangan sel surya double junction GaAs/Ge menggunakan program PCID dan MATLAB. Perhitungan koefisien absorbsi, spektrum radiasi matahari serta spektrum transmisi darilapisan GaAs dilakukan dengan menggunakan program MATLAB. Hasil perhitungan tersebut kemudian digunakan sebagai parameter masukan untuk perancangan sel surya menggunakan program simulasi PCID.Hasil perhitungan spektrum emisi untuk GaAs menghasilkan nilai radiasi yang diteruskan ke lapisan Ge sebesar 584 W/m2. Radiasi matahari yang digunakan di sini menggunakan standar ASTM E-490 AMO dengan nilai total radiasi matahari sebesar1180 W/m2. Untuk nilai efisiensi daya keluaran dari sel surya double junction GaAs/Ge diperoleh efisiensi total sebesar 35.03%. Hasil ini cukup baik, bila dibandingkan hasil simulasi sel surya multijunction lainnya yang berkisar antara 30% hingga 42%.