| dc.description.abstract | Film tipis Barium Titanat (BaTiO3) telah berhasil dibuat dengan menggunakan metode Chemical Solution
Deposition (CSD) dan Spin Coating. Dalam penelitian ini telah dibuat film BaTiO3 didadah Ru dengan
variasi konsentrasi pendadah 0%, 0.5%, dan 1%. Film tipis tersebut dideposisikan di atas substrat silikon
tipe-p (100). Film tipis BaTiO3 melalui tahap annealing pada suhu 850
oC ditahan selama 8 jam dengan
kelajuan kenaikan suhu sebesar 1.67
oC/menit, kemudian mengalami proses pendinginan 12 jam. Film tipis
BaTiO3 didadah RuO2 dikarakterisasi sifat listriknya dengan menggunakan I-V meter, dan Space Charge
Limited Current (SCLC). Gambar 1 menunjukkan Penampang atas struktur kontak argentum film tipis
BaTiO3 didadah Rutenium Struktur MOS (Ag/BTR/Si). Grafik I-V menunjukkan bahwa Struktur MOS (Ag/BTR/Si) memiliki karakteristik dioda dan responsif
terhadap perubahan intensitas radiasi cahaya (Gambar 2, Gambar 3, Gambar 4). Peningkatan konsentrasi
pendadah Ru menyebabkan nilai saturasi meningkat, sedangkan nilai potensial penghalang menurun. Penambahan konsentrasi pendadah Ru secara linear menyebabkan kenaikan nilai mobilitas elektron (Gambar
5, Gambar 6, Gambar7). Tabel 1 menunjukkan Mobilitas elektron pada Struktur MOS (Ag/BTR/Si). Struktur
MOS (Ag/BTR/Si) memiliki sifat kelistrikan dan responsif terhadap cahaya. ... | |
