Sintesis, Energi Gap Dan Analisis Struktur Kristal Film Ferroelektrik Litao3 Diatas Substrat Silikon.

Abstract

Film tipis merupakan material yang memberikan harapan baru dalam pengembangan devais sel surya agar memenuhi persyaratan, diantaranya biaya rendah dan stabilitas material yang baik. Pembuatan lapisan tipis sudah banyak dikembangkan dengan menggunakan metode tertentu. Litium Tantalat merupakan bahan yang memiliki konstanta dielektrik yang tinggi, serta kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi (high charge storage capacity). Tujuan dari penelitian ini adalah membuat film tipis LiTaO3 pada substrat Si tipe-p (100) dan tipe-n (111), menentukan ketebalan lapisan tipis serta melakukan uji sifat optik, dan struktur kristal dari film tipis LiTaO3 yang dibuat pada suhu annealing 600 °C, 650 °C, 700 °C, 750°C, dan 800 °C selama 8 jam dengan karakterisasi XRD (X-ray diffraction) dan spektroskopi UV-Vis. Pada penelitian ini ketebalan film tipis litium tantalat (LiTaO3) dihitung dengan metode volumetrik pada substrat silikon (100) tipe-p adalah 2.37526 μm dan substrat silikon tipe-n adalah 1.952 μm pada suhu 700 oC. Berdasarkan analisis UV-Vis film tipis litium tantalat (LiTaO3) yang ditumbuhkan pada substrat silikon (100) tipe-p diketahui bahwa LiTaO3 dapat diaplikasikan pada sensor infra red (IR) karena selain memiliki serapan pada cahaya tampak, juga terjadi serapan pada panjang gelombang infra red (IR). Energy bandgap film tipis litium tantalat silikat (LiTaO3) pada substrat silikon (100) tipe-p 2.94 eV pada suhu 650 oC dan energi bandgap pada substrat silikon (111) tipe-n 3.06 eV. Analisis struktur kristal pada film tipis litium tantalat (LiTaO3) diperoleh struktur kristal heksagonal dan film tipis litium tantatalat silikat (LiTaSiO5) pada diperoleh struktur kristal monoklinik.