Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/62109
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorIrzaman
dc.contributor.advisorIndro, M. Nur
dc.contributor.authorBanuarti, Sastri
dc.date.accessioned2013-04-11T01:33:28Z
dc.date.available2013-04-11T01:33:28Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.urihttp://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/62109
dc.description.abstractTelah dilakukan penumbuhan film LT (LiTaO3) dan LFT (LiFe2TaO3) dengan di atas substrat Si(100) tipe-p dengan menggunakan metode chemical solution deposition (CSD) dengan teknik spin coating dan annealing pada suhu 850oC selama 6,5 jam. Karakterisasi menggunakan metode volumetrik pada dua macam sampel diperoleh ketebalan sampel sekitar 5000–13400 nm. Karakterisasi arus-tegangan menggunakan I-V meter menunjukkan bahwa sample film LT dan LFT bersifat resistor. Karakterisasi menggunakan osiloskop dan function generator menunjukkan bahwa kedua sampel LT dan LFT mempunyai konstanta dielektrik sebesar 74,83 dan 128,18. Nilai Konduktivitas listrik film LT dan LFT didapatkan pada rentang material isolator dan didapatkan nilai konduktivitas film LFT lebih kecil dibandingkan dengan film LT. Adanya pendadah Fe yang diberikan pada film menurunkan nilai konduktivitasnya. Piroelektrik yang didapat untuk film LT dan LFT berbeda, dimana koefisien piroelektrik LT lebih besar 7 kali dibandingkan dengan LFT.en
dc.subjectLFTen
dc.subjectkonstanta dielektriken
dc.subjectkonduktivitas listriken
dc.subjectFerium Oksidaen
dc.subjectPiroelektriken
dc.subjectresistoren
dc.titleUji Sifat Listrik Fotoresistor Berbasis Film Piroelektrik Litium Tantalat (Litao3) Didadah Ferium Oksidaen
Appears in Collections:UT - Physics

Files in This Item:
File SizeFormat 
G10sba.pdf
  Restricted Access
1.75 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.