Pembuatan dan Karakterisasi FET Berbasis Zinc Oxide (ZnO) untuk Sensor Sensor Ultra Violet (UV)

Abstract

Sensor Field Effect Transistor (FET) dibuat dari oksida logam, logam, polimer konduktif organik, dan semikonduktor. Sensor FET terdiri atas tiga lapisan, yaitu lapisan zinc oxide sebagai lapisan aktif, lapisan SiO2 sebagai insulator dan lapisan silikon tipe-p. Sensor FET berbasis ZnO sensitif terhadap cahaya UV, yang dapat dilihat dari hasil karakterisasi arus-tegangan dan karakterisasi respons dinamik yang menunjukkan respons terhadap adanya cahaya UV. Respon sensor FET terhadap cahaya UV memperlihatkan terjadinya peningkatan arus drain-source, dikarenakan terjadinya penurunan resistansi pada daerah lapisan zinc oxide. Respon sensor FET terhadap cahaya UV memperlihatkan bahwa apabila sensor diberikan cahaya UV maka terjadi peningkatan arus drain-sourceakibat adanya penurunan resistansi lapisan ZnO. Respon dinamik sensor FET memperlihatkan adanya perubahan tegangan output saat diberikan cahaya. Terjadi penurunan tegangan output saat diberikan cahaya UV pada setiap peningkatan intensitas. Sensor FET memiliki waktu respon sekitar 2.6 detik dan waktu pemulihan sekitar 2.8 detik. Hasil ini menunjukkan bahwa sensor FET memiliki waktu respons yang lebih cepat dari pada waktu pemulihannya