Karakterisasi struktur dan sifat optik lapisan tipis CeO2 hasil deposisi metode Electron Beam Evaporation

Abstract

Dalam penelitian ini dilakukan penumbuhan lapisan tipis CeO2 dengan metode Electron Beam Evaporation dengan laju deposisi 2,7 A ls. lapisan ini di annealing pada suhu 500 derajat Celcius selama 10 menit. Kemudian lapisan CeO2 dilakukan karakterisasi sifat optik dan struktur kristal. Sifat optik diamati sebelum dan setelah annealing. Lapisan CeO2 lebih transparan jika dibandingkan sebelum annealing. hal ini disebabkan karena pengaruh proses annealing dimana jarak antara atom semakin besar sehingga banyak cahaya yang dapat dilewatkan.