Analisis Model Hiperpolarisabilitas Nonlinier untuk Semikonduktor Bersimetri Cnv dan Oh

Abstract

Teori Simplified Bond Hyperpolarizability Model (SBHM) dikemukakan oleh Aspnes pada tahun 2002. Model ini menyederhanakan model fenomenologis lainnya dengan menganggap bahwa muatan di permukaan dan didalam bahan mengalami polarisasi nonlinier hanya searah ikatan atom saja yang selanjutnya menghasilkan radiasi nonlinier. Model ini memiliki keunggulan yaitu menghasilkan variabel independen yang lebih sedikit dalam tensor suseptibilitasnya. Penelitian ini dilakukan untuk memodelkan respon dari bagian permukaan dan bulk Silikon ketika dikenai medan listrik. Respon tersebut dapat direpresentasikan melalui bentuk tensor suseptibilitas dan hiperpolarisabilitas. Silikon merupakan material centrosymmetric yang memilki simetri inversi sehingga tensor suseptibilitas yang terkait dengan generasi harmonik tinggi pada permukaan merupakan tensor rank tiga sedangkan pada bulk merupakan tensor rank empat. Bagian permukaan Silikon memilki jenis simetri C3v untuk Si(111) dan C2v untuk untuk Si(100). Bulk Silikon memilki simetri berjenis Oh. Intensitas keluaran generasi harmonik kedua dan ketiga dari masing-masing orientasi bidang Silikon dihitung untuk keempat kasus polarisasi yaitu: ss, sp, ps dan pp.