Analisis Model Hiperpolarisabilitas Nonlinier untuk Semikonduktor Bersimetri Cnv dan Oh
View/Open
Date
2016Author
Tawakal, Muhamad Rifqi
Hardhienata, Hendradi
Alatas, Husin
Metadata
Show full item recordAbstract
Teori Simplified Bond Hyperpolarizability Model (SBHM) dikemukakan
oleh Aspnes pada tahun 2002. Model ini menyederhanakan model fenomenologis
lainnya dengan menganggap bahwa muatan di permukaan dan didalam bahan
mengalami polarisasi nonlinier hanya searah ikatan atom saja yang selanjutnya
menghasilkan radiasi nonlinier. Model ini memiliki keunggulan yaitu
menghasilkan variabel independen yang lebih sedikit dalam tensor
suseptibilitasnya. Penelitian ini dilakukan untuk memodelkan respon dari bagian
permukaan dan bulk Silikon ketika dikenai medan listrik. Respon tersebut dapat
direpresentasikan melalui bentuk tensor suseptibilitas dan hiperpolarisabilitas.
Silikon merupakan material centrosymmetric yang memilki simetri inversi
sehingga tensor suseptibilitas yang terkait dengan generasi harmonik tinggi pada
permukaan merupakan tensor rank tiga sedangkan pada bulk merupakan tensor
rank empat. Bagian permukaan Silikon memilki jenis simetri C3v untuk Si(111)
dan C2v untuk untuk Si(100). Bulk Silikon memilki simetri berjenis Oh. Intensitas
keluaran generasi harmonik kedua dan ketiga dari masing-masing orientasi bidang
Silikon dihitung untuk keempat kasus polarisasi yaitu: ss, sp, ps dan pp.
Collections
- UT - Physics [1124]