Penumbuhan Film PbZr-TiO3 dan PbNbZrTiO3 serta Uji Sifat Ferroelektriknya

Abstract

Telah dilakukan penumbuhan film PbZrTO (PZT) dan PbNbZrTiO (PNZT) di atas substrat Pi(200) / S * i*O_{5} / S * i(100) dan Si(100) tipe-p. Metode yang digunakan adalah metode chemichal (CSD) dengan teknik spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm dalam waktu 30 detik. Pelapisan dilakukan sebanyak 5 lapisan. Dibuat film PZT dan PNZT dengan konsentrasi 1 M dan annealing pada sulu 900°C. 950°C dan 1000°C. Uji sifat fertoelektrik dilakukan dengan alat radiant technology model RT 66 A4. Pada bulk PZT memiliki nilai parameter kisi c / a = 1023 sedangkan pada bulk PNZT memiliki nilai parameter kisi phi / a = 1026 dan keduanya memiliki struktur kristal tetragonal. Hasil karakterisasi XRD bahwa film PZT dan PNZT telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Pt(200) / S * i*O_{2} / S * i(100) Pada film PZT di atas substrat Pt(200) / S * i*O_{2} / S * i(100) dengan suhu annealing memiliki nilai parameter kisi c/a masing-masing sebesar 1,021 dan 1,028, sedangkan pada film PNZT di atas Pt(200) / S * i*O_{2} / S * i(100) dengan suhu annealing 900°C dan 1000°C memiliki nilai parameter kisi c/sebesar 1,029 dan 1,037. Hasil penelitian menunjukkan bahwa film yang dibuat pada suhu arinealing 900°C tidak bersifat ferroelektrik, film yang dibuat pada suhu annealing 950°C hanya fillm PZT dan PNZT pada substrat Si(100)tipe-p yang bersifat ferroelektrik, sedangkan pada film yang dibuat pada suhu annealing 1000°C film yang bersifat ferroelektrik adalah film PZT pada substrat Pt(200) / S * i*O_{3} / S * i(100) PNZT pada substrat Pt(200) / S * i*O_{2} / S * i(100) dan PNZT pada substrat Si(100)tipe-p