Studi DFT pada Efek Pengosongan In dan Doping Ag+ terhadap Sifat Double Perovskite Cs2ScInCl6 sebagai Kandidat Sel Surya

Abstract

Perkembangan konsumsi energi global yang terus meningkat mendorong pemanfaatan sumber energi terbarukan seperti energi matahari dalam transformasi menjadi energi listrik, seperti teknologi fotovoltaik dinamakan sel surya. Pemanenan energi surya dengan teknologi ini dapat menggunakan Double Perovskite (DP) sebagai material yang dapat menyerupai kinerja perovskit berbasis timbal (Pb). Akibat Pb yang memiliki permasalahan dari sisi toksisitasnya, kemudian dilakukan uji DP Cs2ScInCl6 dengan mengeksplorasi sifat elektronik dan optiknya secara komputasi menggunakan DFT. Selain itu, untuk mendapat perbaikan performansi dapat dilakukan dengan memodifikasi strukturnya berupa pengadaan vacancy-point defect (x = 0,25) dan kombinasi vacancy-point defect dan doping ion Ag+ serta variasi metode Spin Orbit Coupling (SOC) dan tanpa SOC. Cs2ScIn1-0,25Cl6 tanpa SOC memiliki performansi yang baik ditinjau dari sifat elektroniknya. Sedangkan ditinjau dari keseluruhan terlepas dari transisinya Cs2ScIn1-0,25Ag0,25Cl6 tanpa SOC memberikan performansi paling baik sebagai kandidat sel surya DP Cs2ScInCl6 dilihat dari gap-nya yang berkaitan dengan kemampuan absorbsi foton dengan spektrum yang lebar.

The development of global energy consumption that continues to increase encourages the use of renewable energy sources such as solar energy in the transformation into electrical energy, such as photovoltaic technology called solar cells. Solar energy harvesting with this technology can use Double Perovskite (DP) as a material that can resemble the performance of lead-based perovskite (Pb). As a result of Pb which has problems in terms of toxicity, then the DP Cs2ScInCl6 test was carried out by exploring its electronic and optical properties computationally using DFT. In addition, to get improved performance can be done by modifying the structure in the form of procurement vacancy-point defect (x = 0,25) and a combination of vacancy-point defect and doping ion Ag+ and variations of Spin Orbit Coupling (SOC) and no SOC methods. Cs2ScIn1-0,25Cl6 without SOC has good performance in terms of its electronic properties. While in terms of overall regardless of the transition Cs2ScIn1-0,25Ag0,25Cl6 without SOC gives the best performance as a candidate DP solar cell Cs2ScInCl6 seen from itsgap related to the absorption ability of photons with a wide spectrum.