Pengaruh hamburan inelastik terhadap mekanisme transport elektronik terhadap mekanisme transpor elektronik pada struktur semikonduktor dua penghalang

Abstract

Struktur resonan dua Penghalang merupakan suatu sistem yang terdiri dari dua buah potensial penghalang dan satu sumur kuantum. Struktur semikonduktor ini dibentuk dari dua material berbeda yang disusun berlapis lapis tipis secara berselang seling, dimana setiap material penyusunnya memiliki perbedaan dalam ukuran energi band gap yang dengan demikian akan terbentuk susunan struktur dua penghalang dan sumur kuantum. Mekanisme transport elektronik melewati struktur dua penghalang terjadi melalui mekanisme quantum tunneling (penerobosan kuantum). Partikel yang bergerak dengan energi yang lebih kecil dari energi potensial penghalang memiliki probabilitas yang tidak sama dengan nol untuk dapat menerobos penghalang tersebut. Probabilitas transmisi elektron adalah besar (hampir mendekati satu) jika energi elektron datang bertemu dengan energi stasioner di sumur kuantum. Besarnya energi elektron datang yang menghasilkan probabilitas transmisi yang besar ini disebut energi resonan dan ditunjukan oleh puncak pada grafik koefisien transmisi terhadap energi elektron. Untuk mempelajari pengaruh hamburan inelastik terhadap mekanisme transport elektronik melewati struktur dua penghalang, dalam penelitian ini hamburan inelastik disimulasikan dengan menambahkan faktor damping (faktor hamburan, y) terhadap propagasi fungsi gelombang di sumur kuantum dan persamaan Schrodinger keadaan tunak satu dimensi disumur kuantum termodifikasi menjadi :...