Uji sifat listrik struktur kapasitor film tipis bahan PbZr,Ti1-xO3 doping In2O3(PIZT)

Abstract

Telah dilakukan penelitian uji sifat listrik kapasitor film tipis PbZrTi1.xO3 doping In₂O3 (PIZT). Variasi doping In₂O3 yang diberikan pada PbZr,Ti₁.xO3 (PZT) adalah 0,5%; 1% dan 10%. Uji sifat listrik C-V dari film tipis PIZT berstruktur MIS (metal insulator semiconductor) diperoleh nilai konstanta dielektrik film (film) adalah 34,8; 48,5; 51,3 untuk variasi doping 0,5%10%. Kapasitans maksimum film tipis PIZT yang diperoleh dari pengukuran adalah 7, 39 * 10 ^ - 11 F; 1,03 x 10-10 F; 1,09 x 10-10 F. Rapat muatan oksida tetap dalam film tipis PIZT masing-masing 5.03 * 10 ^ 10 * c * m ^ - 2 4.64 * 10 ^ 10 * c * m ^ - 2 2.04 * 10 ^ 10 * c * m ^ - 2 pada pengukuran suhu kamar (300 K) untuk frekuensi sumber 10 kHz. Uji sifat listrik I-V dari film tipis PIZT berstruktur MIM insulator metal) diperoleh nilai konduktivitas PZT doping indium 0,5%; 1%; 10% yaitu 1, 32 * 10 ^ - 12 * (Omega*m) ^ - 1 3.34 * 10 ^ - 12 * (Omega*m) ^ - 1 4,32 x 10" (2m). Sedangkan nilai resistivitas dari film tipis PIZT yaitu 7, 58 * 10 ^ 11 2 m; 2, 99 * 10 ^ 11 Ω m; 2.32 * 10 ^ 11 Ω m. Semakin besar doping indium oksida yang diberikan maka nilai kapasitans dan nilai dielektrik PZT semakin besar sedangkan rapat muatan oksida tetap semakin kecil yang menyebabkan konduktivitas PZT meningkat.