Penumbuhan film tipis bahan PbZrxYi1-xO3 doping In2O(PIZT) dengan metode chemical solution deposition(CSD)

Abstract

Penumbuhan Film Tipis Bahan PbZrTi1-xO3 Doping In₂O3 (PIZT) dengan Metode Chemical Solution Deposition (CSD). Dibimbing oleh Ir. Irzaman, MSi dan Dr. Kiagus Dahlan. Telah dilakukan penumbuhan film tipis PbZr, Ti₁-xO3 doping In₂O3 (PIZT) dengan metode chemical solution deposition (CSD) pada kecepatan putaran 3000 rpm selama 30 detik dan di annealing pada suhu 750 °C selama 3 jam. Dua substrat digunakan yaitu Si(100) dan Pt(200)/SiO2/Si(100). Hasil analisis XRD menunjukkan bahwa struktur kristal serbuk dan film tipis PIZT adalah tetragonal. Berdasarkan morfologi permukaan dengan metode SEM menunjukkan serbuk dan film tipis masih heterogen, sedangkan analisis EDX secara kualitatif menunjukkan bahwa unsur-unsur pembentuk PIZT telah muncul.