View Item 
      •   IPB Repository
      • Dissertations and Theses
      • Undergraduate Theses
      • UT - Faculty of Mathematics and Natural Sciences
      • UT - Physics
      • View Item
      •   IPB Repository
      • Dissertations and Theses
      • Undergraduate Theses
      • UT - Faculty of Mathematics and Natural Sciences
      • UT - Physics
      • View Item
      JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

      Pemodelan dua potensial penghalang tidak simetris pada semikonduktor superlattice

      Thumbnail
      View/Open
      Fullteks (1.309Mb)
      Date
      2001
      Author
      Nugraha, Edwin Setiawan
      Kartono, Agus
      Indro, M. Nur
      Metadata
      Show full item record
      Abstract
      Salah satu penomena menarik yang dapat dijelaskan fisika kuantum yaitu tunneling (penerobosan). Pada penomena ini, partikel yang bergerak dengan energi lebih kecil dari potensial penghalang memiliki probabilitas menerobos penghalang tersebut. Besarnya probabilitas dinamakan koefisien transmisi. Semikonduktor superlattice merupakan generasi baru dalam material semikonduktor yang diusulkan secara teoritis pada tahun 1970-an oleh Esaki dan Tsu. Superlattice memiliki struktur potensial penghalang dan sumur kuantum yang berselang-seling. Oleh karena itu, peristiwa tunneling akan menentukan karakteristik material tersebut. Dalam penelitian ini, dimodelkan dua potensial penghalang untuk mempelajari karakteristik superlattice dua penghalang tidak simetris yaitu GaAlAs-GaAs-GaAlAs dan AlAs-GaAs- AIAS. Parameter struktur seperti lebar potensial penghalang, lebar sumur dan ketinggian potensial penghalang/fraksi mol dipelajari bagaimana pengaruhnya pada karakteristik material tersebut. Hasil penelitian menunjukan bahwa lebar sumur merupakan parameter struktur penting karena lebar sumur yang divariasikan menunjukan hasil menarik terhadap koefisien transmisi dan karakteristik rapat arus-tegangan. Pada koefisien transmisi, pertambahan lebar sumur mengakibatkan penurunan tingkat energi resonan pertama seperti yang ditunjukan pada gambar 11(e) dan 12(e) sedangkan pada karakteristik rapat-arus tegangan, mengakibatkan penurunan arus resonan tunneling (JRT). Pada superlattice GaAlAs-GaAs- GaAlAs untuk lebar sumur 6, 7, dan 8 nm dihasilkan JRT (maks) berturut-turut 1.67 x 108; 8,9 x 10'; dan 4,35 x 10' A m2. Pada superlattice AIAS-GaAs-AlAs untuk lebar sumur 6, 7, dan 8 nm dihasilkan JRT (maks) berturut-turut 8,85 x 106; 4,14 x 106; dan 2,21 x 106 A m². Untuk fraksi mol yang divariasikan yaitu 0,6; 0,7; dan 0,8, perhitungan pada GaAlAs-GaAs- GaAlAs menghasilkan JRT (maks) berturut-turut 3,76 x 10; 1,78 x 108; dan 9,05 x 10' A m².
      URI
      http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/130561
      Collections
      • UT - Physics [1230]

      Copyright © 2020 Library of IPB University
      All rights reserved
      Contact Us | Send Feedback
      Indonesia DSpace Group 
      IPB University Scientific Repository
      UIN Syarif Hidayatullah Institutional Repository
      Universitas Jember Digital Repository
        

       

      Browse

      All of IPB RepositoryCollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

      My Account

      Login

      Application

      google store

      Copyright © 2020 Library of IPB University
      All rights reserved
      Contact Us | Send Feedback
      Indonesia DSpace Group 
      IPB University Scientific Repository
      UIN Syarif Hidayatullah Institutional Repository
      Universitas Jember Digital Repository