Sifat optik dan sifat listrik diode schottky film Barium Titanat (BaTiO3) berstruktur emas - BaTiO3 (Metal – ferroelektrik)

Abstract

Diode Schottky (emas - BaTiO3) berhasil dibuat dengan ditumbuhkan di atas permukaan interdigital electrode berbahan emas(Au) menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) . Film BaTiO3 dibuat dengan proses annealing pada suhu 400oC dengan variasi holding time annealing 4 jam dan 10 jam. Karakterisasi sifat optik diode Schottky dilakukan menggunakan UV-Vis Spektrofotometer untuk memperoleh nilai energi gap Film BaTiO3. Nilai energi gap BaTiO3 pada dua perlakuan holding time annealing 4 jam dan 10 jam sebesar 3.27 eV dan 3.21 eV dan nilai energi gap tersebut termasuk dalam kategori semikonduktor. Karakterisasi sifat listrik diode Schottky dilakukan menggunakan LCR Meter yang didapatkan nilai konduktivitas listrik pada Holding time annealing 10 jam lebih besar daripada 4 jam. Kemudian, didapatkan nilai impedansi yang menunjukkan bahwa pada holding time annealing 4 jam lebih besar daripada holding time 10 jam. Didapatkan pula nilai konstanta dielektrik yang menunjukkan pada waktu holding time annealing 4 jam lebih besar daripada 10 jam.